文献
J-GLOBAL ID:200902280245396168
整理番号:09A0927281
MPCVD法によって成長したn-タイプSi上の窒素ドープしたナノ結晶ダイヤモンド膜からの低温の熱イオン放射
Low-temperature thermionic emission from nitrogen-doped nanocrystalline diamond films on n-type Si grown by MPCVD
著者 (4件):
SUZUKI Mariko
(Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, Kanagawa 212-8582, JPN)
,
ONO Tomio
(Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, Kanagawa 212-8582, JPN)
,
SAKUMA Naoshi
(Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, Kanagawa 212-8582, JPN)
,
SAKAI Tadashi
(Corporate Res. & Dev. Center, Toshiba Corp., 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, Kanagawa 212-8582, JPN)
資料名:
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻:
18
号:
10
ページ:
1274-1277
発行年:
2009年10月
JST資料番号:
W0498A
ISSN:
0925-9635
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)