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文献
J-GLOBAL ID:200902280555376507   整理番号:05A0624507

キャリア分離法を用いたhigh-k stackゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析

Carrier separation analysis for clarifying carrier conduction and degradation mechanisms in high-k stack gate dielectrics
著者 (10件):
水林亘
(半導体MIRAI-産総研ASRC)
安田直樹
(半導体MIRAI-ASET)
岡田健治
(半導体MIRAI-ASET)
太田裕之
(半導体MIRAI-産総研ASRC)
堀川剛
(半導体MIRAI-産総研ASRC)
岩本邦彦
(半導体MIRAI-ASET)
生田目俊秀
(半導体MIRAI-ASET)
佐竹秀喜
(半導体MIRAI-ASET)
鳥海明
(半導体MIRAI-産総研ASRC)
鳥海明
(東大)

資料名:
電気学会電子材料研究会資料  (電気学会研究会資料)

巻: EFM-05  号: 22-34  ページ: 19-24  発行年: 2005年 
JST資料番号: Z0970A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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