Sorry, this section is only available in Japanese.

前のページに戻るこの文献は全文を取り寄せることができます

JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。

既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方

JDreamⅢ複写サービス
文献複写のお申込み

JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方

学術文献の全文複写をお取寄せ
JDreamⅢ複写サービスのご案内

取り寄せる文献のタイトルと詳細

文献

J-GLOBAL ID：200902280560122432 整理番号：09A0851356

Si(110)基板上に成長した組成的に一様および段状傾斜のSiGe膜における歪み緩和メカニズム

Strain relaxation mechanisms in compositionally uniform and step-graded SiGe films grown on Si(110) substrates

著者 (8件)：

ARIMOTO Keisuke

(Center for Crystal Sci. and Technol., Univ. of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN)

WATANABE Masato

(Center for Crystal Sci. and Technol., Univ. of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN)

YAMANAKA Junji

(Center for Crystal Sci. and Technol., Univ. of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN)

NAKAGAWA Kiyokazu

(Center for Crystal Sci. and Technol., Univ. of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN)

SAWANO Kentarou

(Res. Center for Silicon Nano-Science, Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku ...)

SHIRAKI Yasuhiro

(Res. Center for Silicon Nano-Science, Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku ...)

USAMI Noritaka

(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)

NAKAJIMA Kazuo

(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)

資料名：

Solid-State Electronics (Solid-State Electronics)

巻： 53 号： 10 ページ： 1135-1143 発行年： 2009年10月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

JDreamⅢ複写サービスとは

JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。

TOP

BOTTOM