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資料名：
巻： 44 号： 11 ページ： 7883-7888 発行年： 2005年11月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902280855727000
整理番号：05A1022828
その場ひ素ドープ多結晶シリコン膜形成のための高速回転ディスクCVDプロセス
High-Speed Rotating-Disk Chemical Vapor Deposition Process for In-Situ Arsenic-Doped Polycrystalline Silicon Films
TERAI Fujio
(Shibaura Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
TERAI Fujio
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
KOBAYASHI Hiroaki
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
KATSUI Shuji
(Toshiba Corp., Ooita, JPN)
,
TAMAOKI Naoki
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
NAGATOMO Takao
(Shibaura Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
,
HOMMA Tetsuya
(Shibaura Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 11 ページ： 7883-7888 発行年： 2005年11月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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