文献
J-GLOBAL ID:200902281855240832
整理番号:04A0630745
新しいMOSFETアレイテスト構造を用いた300mmウエハ内のトランジスタ特性分散の評価
Evaluation of Transistor Property Variations Within Chips on 300-mm Wafers Using a New MOSFET Array Test Structure
著者 (5件):
IZUMI N
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki-ken, JPN)
,
OZAKI H
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki-ken, JPN)
,
NAKAGAWA Y
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki-ken, JPN)
,
KASAI N
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki-ken, JPN)
,
ARIKADO T
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki-ken, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
(IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻:
17
号:
3
ページ:
248-254
発行年:
2004年08月
JST資料番号:
T0521A
ISSN:
0894-6507
CODEN:
ITSMED
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)