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資料名：
巻： 45 号： 7 ページ： 5708-5715 発行年： 2006年07月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902282174696958
整理番号：06A0594129
非溶融レーザースパイクアニーリングによるきわめて浅い接合の形成と65-nmノードの相補的金属酸化物半導体デバイスへの応用
Ultra-Shallow Junction Formation by Non-Melt Laser Spike Annealing and its Application to Complementary Metal Oxide Semiconductor Devices in 65-nm Node
SHIMA Akio
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
HIRAIWA Atsushi
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 7 ページ： 5708-5715 発行年： 2006年07月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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