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資料名：
巻： 95 号： 13 ページ： 132103 発行年： 2009年09月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902282333488016
整理番号：09A1030385
界面酸化層変調と組み合わせたAl誘起結晶化による絶縁性基板上の配向制御されたSi薄膜
Orientation-controlled Si thin films on insulating substrates by Al-induced crystallization combined with interfacial-oxide layer modulation
KUROSAWA Masashi
(Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
,
KAWABATA Naoyuki
(Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
,
SADOH Taizoh
(Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
,
MIYAO Masanobu
(Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 95 号： 13 ページ： 132103 発行年： 2009年09月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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