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文献
J-GLOBAL ID:200902283838042477   整理番号:05A0880603

微斜面サファイヤ(0001)基板上に成長したAlN膜における貫通転位の消滅機構に関する透過電子顕微鏡法を用いた研究

Studies of the annihilation mechanism of threading dislocation in AlN films grown on vicinal sapphire (0001) substrates using transmission electron microscopy
著者 (3件):
SHEN X. Q.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
OKUMURA H.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
MATSUHATA H.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 87  号: 10  ページ: 101910.1-101910.3  発行年: 2005年09月05日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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