文献
J-GLOBAL ID:200902284479063982
整理番号:09A0796132
GeとIII-V物質を用いるCMOS論理デパイスの究極スケーリング
Ultimate Scaling of CMOS Logic Devices with Ge and III-V Materials
著者 (2件):
HEYNS M.
(Interuniversity MicroElectronics Center (IMEC), BEL)
,
TSAI W.
(Intel Corp., Santa Clara)
資料名:
MRS Bulletin
(MRS Bulletin)
巻:
34
号:
7
ページ:
485-488
発行年:
2009年07月
JST資料番号:
W1595A
ISSN:
0883-7694
CODEN:
MRSBEA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)