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資料名：
巻： 44 号： 12 ページ： 8562-8570 発行年： 2005年12月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902286380489964
整理番号：06A0037208
MnSi~1.7におけるMnSiの微細形態および熱電子トランスポート特性におよぼすGeドーピングの効果
Effects of Ge Doping on Micromorphology of MnSi in MnSi~1.7 and on Their Thermoelectric Transport Properties
AOYAMA Ikuto
(Komatsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
FEDOROV Mikhail I.
(A. F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
ZAITSEV Vladimir K.
(A. F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SOLOMKIN Fedor Yu.
(A. F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
EREMIN Ivan S.
(A. F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SAMUNIN Aleksandr Yu.
(A. F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
MUKOUJIMA Mika
(Komatsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SANO Seijiro
(Komatsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
TSUJI Toshihide
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 12 ページ： 8562-8570 発行年： 2005年12月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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