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著者 (12件)：
資料名：
巻： 92 号： 12 ページ： 122107 発行年： 2008年03月24日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902286683915974
整理番号：08A0340739
層状半導体のIn4Se3(100)における表面鎖の電子構造
The electronic structure of surface chains in the layered semiconductor In4Se3(100)
LOSOVYJ Ya. B.
(Center for Advanced Microstructures and Devices, Louisiana State Univ., Baton Rouge, Louisiana 70806, USA)
,
KLINKE Melanie
(Dep. of Physics, Florida International Univ., Miami, Florida 33199, USA)
,
CAI En
(Dep. of Physics, Florida International Univ., Miami, Florida 33199, USA)
,
RODRIGUEZ Idaykis
(Dep. of Physics, Florida International Univ., Miami, Florida 33199, USA)
,
ZHANG Jiandi
(Dep. of Physics, Florida International Univ., Miami, Florida 33199, USA)
,
MAKINISTIAN L.
(Dep. of Physics, South Dakota School of Mines, Rapid City, South Dakota 57701, USA)
,
PETUKHOV A. G.
(Dep. of Physics, South Dakota School of Mines, Rapid City, South Dakota 57701, USA)
,
ALBANESI E. A.
(INTEC-CONICET, Gueemes 3450, 3000 Santa Fe, Argentina, and Facultad de Ingenieria, Universidad Nacional de Entre ...)
,
GALIY P.
(Electronics Dep., Ivan Franko National Univ. of Lviv, 50 Dragomanov Str., 79005 Lviv, UKR)
,
FIYALA Ya.
(Electronics Dep., Ivan Franko National Univ. of Lviv, 50 Dragomanov Str., 79005 Lviv, UKR)
,
LIU Jing
(Dep. of Physics and Astronomy and the Nebraska Center for Material and Nanoscience, Univ. of Nebraska, Lincoln ...)
,
DOWBEN P. A.
(Dep. of Physics and Astronomy and the Nebraska Center for Material and Nanoscience, Univ. of Nebraska, Lincoln ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 92 号： 12 ページ： 122107 発行年： 2008年03月24日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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