文献
J-GLOBAL ID:200902287293362717
整理番号:05A0057735
Kelvinプローブ力顕微鏡によるAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの表面ポテンシャル測定
Surface potential measurements of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors by Kelvin probe force microscopy
著者 (5件):
NAKAGAMI K
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
OHNO Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KISHIMOTO S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MAEZAWA K
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MIZUTANI T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
85
号:
24
ページ:
6028-6029
発行年:
2004年12月13日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)