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著者 (11件)：
資料名：
巻： 27 号： 5 ページ： 383-386 発行年： 2006年05月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902287504020842
整理番号：06A0384426
高性能完全空乏Siナノ細線(口径≦5nm)ゲート-オール-アラウンドCMOSデバイス
High-Performance Fully Depleted Silicon Nanowire (Diameter≦5nm) Gate-All-Around CMOS Devices
SINGH N.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
AGARWAL A.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
BERA L. K.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
LIOW T. Y.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
YANG R.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
RUSTAGI S. C.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
TUNG C. H.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
KUMAR R.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
LO G. Q.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
BALASUBRAMANIAN N.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
KWONG D.-L.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 27 号： 5 ページ： 383-386 発行年： 2006年05月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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