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資料名：
巻： 96 号： 9 ページ： 4976-4981 発行年： 2004年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902288039223614
整理番号：04A0843247
p型4H-SiCへの三元Ge/Ti/Al Ohm接触の電気特性と微細構造
Electrical properties and microstructure of ternary Ge/Ti/Al ohmic contacts to p-type 4H-SiC
TSUKIMOTO S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SAKAI T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MURAKAMI M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 96 号： 9 ページ： 4976-4981 発行年： 2004年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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