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文献
J-GLOBAL ID:200902288325770525   整理番号:03A0587611

MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O3薄膜の低温成長と特性の改善

Low temperature growth of Pb(Zr,Ti)O3 thin films by MOCVD and improvements in their properties
著者 (4件):
岡庭守
(姫路工大 大学院工学研究科)
藤沢浩訓
(姫路工大 大学院工学研究科)
清水勝
(姫路工大 大学院工学研究科)
丹生博彦
(姫路工大 大学院工学研究科)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 103  号: 167(US2003 23-34)  ページ: 1-6  発行年: 2003年07月04日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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