文献
J-GLOBAL ID:200902288726926595
整理番号:04A0589480
200W以上の出力電力,高信頼GaN HEMTプッシュプル増幅器
An Over 200-W Output Power GaN HEMT Push-Pull Amplifier with High Reliability
著者 (9件):
KIKKAWA T
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
MANIWA T
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
HAYASHI H
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
KANAMURA M
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
YOKOKAWA S
(Fujitsu Quantum Devices, Yamanashi, JPN)
,
NISHI M
(Fujitsu Quantum Devices, Yamanashi, JPN)
,
ADACHI N
(Fujitsu Quantum Devices, Yamanashi, JPN)
,
YOKOYAMA M
(Fujitsu Quantum Devices, Yamanashi, JPN)
,
TATENO Y
(Fujitsu Quantum Devices, Yamanashi, JPN)
資料名:
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
(IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻:
2004
号:
Vol.3
ページ:
1347-1350
発行年:
2004年
JST資料番号:
A0636A
ISSN:
0149-645X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)