文献
J-GLOBAL ID:200902289121473854
整理番号:06A0355218
微分負性抵抗をもつInGaAs二重チャネルトランジスタ
InGaAs dual channel transistors with negative differential resistance
著者 (5件):
SUGAYA Takeyoshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan and CREST ...)
,
KOMORI Kazuhiro
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568, Japan and CREST ...)
,
YAMANE Takashi
(Shibaura Inst. of Technol., 3-9-14 Shibaura, Minato-ku, Tokyo 108-8548, JPN)
,
HORI Souichirou
(Shibaura Inst. of Technol., 3-9-14 Shibaura, Minato-ku, Tokyo 108-8548, JPN)
,
YONEI Kenji
(Shibaura Inst. of Technol., 3-9-14 Shibaura, Minato-ku, Tokyo 108-8548, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
88
号:
14
ページ:
142107-142107-3
発行年:
2006年04月03日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)