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著者 (9件)：
資料名：
巻： 2003 ページ： 449-452 発行年： 2003年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902289166995657
整理番号：04A0094251
SON工程で実現した高性能二重ゲートMOSFET
Highly Performant Double Gate MOSFET realized with SON process
HARRISON S
(L2MP, Marseille, FRA)
,
CORONEL P
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
LEVERD F
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
CERUTTI R
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
DELILLE D
(Philips Semiconductors, Crolles, FRA)
,
BOREL S
(CEA, Grenoble, FRA)
,
JULLIAN S
(Philips Semiconductors, Crolles, FRA)
,
MUNTEANU D
(L2MP, Marseille, FRA)
,
AUTRAN J-L
(L2MP, Marseille, FRA)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2003 ページ： 449-452 発行年： 2003年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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