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J-GLOBAL ID:200902289902135547   整理番号:08A0575251

バルク敏感x線光電子分光法において観測される透明な非晶質酸化物半導体,In-Ga-Zn-O,におけるサブギャップ状態

Subgap states in transparent amorphous oxide semiconductor, In-Ga-Zn-O, observed by bulk sensitive x-ray photoelectron spectroscopy
著者 (8件):
NOMURA Kenji
(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
KAMIYA Toshio
(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
YANAGI Hiroshi
(Materials and Structures Lab., Mailbox R3-1, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
IKENAGA Eiji
(SPring-8, Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., 1-1-1 Kouto, Mikazuki-cho, Hyogo 679-5198, JPN)
YANG Ke
(SPring-8, Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., 1-1-1 Kouto, Mikazuki-cho, Hyogo 679-5198, JPN)
KOBAYASHI Keisuke
(SPring-8 Beamline Station, National Inst. for Materials Sci., 1-1-1 Kouto, Mikazuki-cho, Hyogo 679-5198, JPN)
HIRANO Masahiro
(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
HOSONO Hideo
(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 92  号: 20  ページ: 202117  発行年: 2008年05月19日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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