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著者 (8件)：
資料名：
巻： 42 号： 6B ページ： 3958-3961 発行年： 2003年06月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902289982658251
整理番号：03A0506424
一定の流量のArと共にCH4/H2/ArとO2を周期的に注入することによるIII-V半導体の電子サイクロトロン共鳴反応性イオンエッチング
Electron Cyclotron Resonance-Reactive Ion Etching of III-V Semiconductors by Cyclic Injection of CH4/H2/Ar and O2 with Constant Ar Flow
HANEJI N
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
SEGAMI G
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
IDE T
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
SUZUKI T
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
ARAKAWA T
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
TADA K
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
SHIMOGAKI Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NAKANO Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 6B ページ： 3958-3961 発行年： 2003年06月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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