文献
J-GLOBAL ID:200902290353021729
整理番号:06A0116343
抵抗率の低い単一配向した(111)VN膜の作製とそのCuとSiの間の拡散バリヤとしての応用
Preparation of Single-Oriented (111)VN Film with Low-Resistivity and Its Application as Diffusion Barrier between Cu and Si
著者 (5件):
YOSHIMOTO Ken-ichi
(Asahikawa National Coll. of Technol., Hokkaido, JPN)
,
KAIYA Fumihiro
(Asahikawa National Coll. of Technol., Hokkaido, JPN)
,
SHINKAI Satoko
(Takuma National Coll. of Technol., Kagawa, JPN)
,
SASAKI Katsutaka
(Kitami Inst. of Technol., Hokkaido, JPN)
,
YANAGISAWA Hideto
(Kitami Inst. of Technol., Hokkaido, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
45
号:
1A
ページ:
215-220
発行年:
2006年01月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)