文献
J-GLOBAL ID:200902290986550690
整理番号:06A0113841
プラスチック基板用の超低温ポリシリコン薄膜トランジスタ
Ultra-Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor for Plastic Substrate
著者 (11件):
KIM Do Young
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi)
,
KWON Jang-Yeon
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi)
,
JUNG Ji Sim
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi)
,
BAE Kyung
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi)
,
CHO Hans S.
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi)
,
LIM Huck
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi)
,
KIM Jong Man
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi)
,
YIN Huaxing
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi)
,
ZHANG Xiaoxin
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi)
,
NOGUCHI Takashi
(Samsung Advanced Inst. Technol., Kyunggi)
,
NOGUCHI Takashi
(Sungkyunkwan Univ., Kyunggi)
資料名:
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻:
48
号:
Supplementary 1
ページ:
S61-S63
発行年:
2006年01月31日
JST資料番号:
T0357A
ISSN:
0374-4884
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
韓国 (KOR)
言語:
英語 (EN)