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文献
J-GLOBAL ID:200902291016966840   整理番号:03A0547802

第三世代シンクロトロン放射源を用いた高分解能高エネルギーX線光電子分光,及びSi高k絶縁体系へのその応用

High resolution-high energy x-ray photoelectron spectroscopy using third-generation synchrotron radiation source, and its application to Si-high k insulator systems
著者 (9件):
KOBAYASHI K
(JASRI/SPring-8, Hyogo, JPN)
YABASHI M
(JASRI/SPring-8, Hyogo, JPN)
TAKATA Y
(RIKEN/SPring-8, Hyogo, JPN)
TOKUSHIMA T
(RIKEN/SPring-8, Hyogo, JPN)
TAMASAKU K
(RIKEN/SPring-8, Hyogo, JPN)
MIWA D
(RIKEN/SPring-8, Hyogo, JPN)
NOHIRA H
(Musashi Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
SUGITA Y
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
NAKATSUKA O
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 83  号:ページ: 1005-1007  発行年: 2003年08月04日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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