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資料名：
巻： 46 号： 6A ページ： 3301-3304 発行年： 2007年06月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902291190953838
整理番号：07A0624397
(AlN/GaN)マルチバッファ層構造の制御歪によるAlGaN/AlN/SiCエピタキシャル層の貫通転位低減
Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AlN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AlN/GaN) Multibuffer-Layer Structure
MURAKAWA Kouichi
(Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
NIIKURA Eiichirou
(Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
HASEGAWA Fumio
(Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
KAWANISHI Hideo
(Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46 号： 6A ページ： 3301-3304 発行年： 2007年06月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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