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著者 (9件)：
資料名：
巻： 224 号： 1/4 ページ： 63-67 発行年： 2004年03月15日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902291841175774
整理番号：04A0196361
その場気相HClエッチングとその場ドープエピタキシャルSiGe再成長を組み合わせた極浅接合作製のための新技術
A new technique to fabricate ultra-shallow-junctions, combining in situ vapour HCl etching and in situ doped epitaxial SiGe re-growth
LOO R
(IMEC, Leuven, BEL)
,
CAYMAX M
(IMEC, Leuven, BEL)
,
MEUNIER-BEILLARD P
(Philips Res. Leuven, Leuven, BEL)
,
PEYTIER I
(IMEC, Leuven, BEL)
,
HOLSTEYNS F
(IMEC, Leuven, BEL)
,
KUBICEK S
(IMEC, Leuven, BEL)
,
VERHEYEN P
(IMEC, Leuven, BEL)
,
LINDSAY R
(IMEC, Leuven, BEL)
,
RICHARD O
(IMEC, Leuven, BEL)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 224 号： 1/4 ページ： 63-67 発行年： 2004年03月15日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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