文献
J-GLOBAL ID:200902292068741613
整理番号:07A0770974
60mV/dec以下のサブしきい値変動(SS)を備えたトンネル電界効果トランジスタ(TFET)
Tunneling Field-Effect Transistors (TFETs) With Subthreshold Swing (SS) Less Than 60mV/dec
著者 (4件):
CHOI Woo Young
(Univ. California, CA, USA)
,
PARK Byung-Gook
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Jong Duk
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LIU Tsu-Jae King
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
28
号:
8
ページ:
743-745
発行年:
2007年08月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)