文献
J-GLOBAL ID:200902292893556977
整理番号:05A0763833
InP基板上に成長させた2μmの波長域で作動するInGaAsSbN量子井戸型レーザーダイオードの発振特性
Lasing Characteristics of InGaAsSbN Quantum Well Laser Diodes at 2-μm-Wavelength Region Grown on InP Substrates
著者 (4件):
KAWAMURA Yuichi
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
KAWAMURA Yuichi
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
NAKAGAWA Tomokatsu
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
INOUE Naohisa
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
44
号:
8
ページ:
6000-6001
発行年:
2005年08月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)