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資料名：
巻： 21 号： 12 ページ： 5343-5348 発行年： 2005年06月07日
JST資料番号： A0231B ISSN： 0743-7463 CODEN： LANGD5 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902293252620248
整理番号：05A0572033
電界効果トランジスタ用の位置規則性ポリ(3-ヘキシルチオフェン)含有Langmuir-Blodgett重合体薄膜の作製
Fabrication of Polymer Langmuir-Blodgett Films Containing Regioregular Poly(3-hexylthiophene) for Application to Field-Effect Transistor
MATSUI Jun
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YOSHIDA Shinsuke
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MIKAYAMA Takeshi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
AOKI Atsushi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MIYASHITA Tokuji
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Langmuir
(Langmuir)
巻： 21 号： 12 ページ： 5343-5348 発行年： 2005年06月07日
JST資料番号： A0231B ISSN： 0743-7463 CODEN： LANGD5 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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