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著者 (7件)：
資料名：
巻： 14 号： 11-12 ページ： 2043-2046 発行年： 2005年11月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902293476009048
整理番号：05A0995590
ほう素をドープした(111)表面上でのミクロンサイズのゲート長さを有するダイヤモンドMISFETの作製
Fabrication of diamond MISFET with micron-sized gate length on boron-doped (111) surface
SAITO Takeyasu
(Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
PARK Kyung-ho
(Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
HIRAMA Kazuyuki
(Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN)
,
UMEZAWA Hitoshi
(Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN)
,
SATOH Mitsuya
(Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN)
,
KAWARADA Hiroshi
(Dep. of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda Univ., Shinjyuku-ku, Tokyo 169-8555, JPN)
,
OKUSHI Hideyo
(Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
資料名：
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻： 14 号： 11-12 ページ： 2043-2046 発行年： 2005年11月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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