文献
J-GLOBAL ID:200902294178200742
整理番号:05A0410972
シリコンナノ細線の成長速度
Growth rate of silicon nanowires
著者 (3件):
KIKKAWA J.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OHNO Y.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TAKEDA S.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
86
号:
12
ページ:
123109.1-123109.3
発行年:
2005年03月21日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)