文献
J-GLOBAL ID:200902297065591205
整理番号:03A0612172
Gaリッチ(4×6)GaAs(001)表面の特性へのSi蒸着の効果
Effects of Si deposition on the properties of Ga-rich (4×6) GaAs (001) surfaces
著者 (3件):
NEGORO N
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
ANANTATHANASARN S
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HASEGAWA H
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
21
号:
4
ページ:
1945-1952
発行年:
2003年07月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)