文献
J-GLOBAL ID:200902297990027581
整理番号:04A0908303
Si基板上GaAs太陽電池用のエピタキシャルリフトオフプロセス
Epitaxial lift-off process for GaAs solar cell on Si substrate
著者 (3件):
TAGUCHI H
(Lecip Corp., Gifu-ken, JPN)
,
SOGA T
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
資料名:
Solar Energy Materials and Solar Cells
(Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻:
85
号:
1
ページ:
85-89
発行年:
2005年01月01日
JST資料番号:
D0513C
ISSN:
0927-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)