文献
J-GLOBAL ID:200902298622565430
整理番号:08A0812077
n-/p-チャネルポリSiゲートバルクMOSFETの統計的変動の大きさにおける非対称性の原因
Origin of the Asymmetry in the Magnitude of the Statistical Variability of n- and p-Channel Poly-Si Gate Bulk MOSFETs
著者 (9件):
ASENOV A.
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
,
CATHIGNOL A.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
CHENG B.
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
,
MCKENNA K. P.
(Univ. Coll. London, London, GBR)
,
BROWN A. R.
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
,
SHLUGER A. L.
(Univ. Coll. London, London, GBR)
,
CHANEMOUGAME D.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
ROCHEREAU K.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
GHIBAUDO G.
(Inst. Microelectronique Electromagnetisme et Photonique et le LAb. Hyperfrequences et de Caracterisation, Grenoble, FRA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
29
号:
8
ページ:
913-915
発行年:
2008年08月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)