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文献
J-GLOBAL ID:200902298672533504   整理番号:08A0428977

TiO2抵抗性スイッチングメモリアレイ用のPt/(In,Sn)2O3/TiO2 Schottky型ダイオードスイッチ

(In,Sn)2O3/TiO2/Pt Schottky-type diode switch for the TiO2 resistive switching memory array
著者 (9件):
SHIN Yong Cheol
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
SONG Jaewon
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
KIM Kyung Min
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
CHOI Byung Joon
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
CHOI Seol
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
LEE Hyun Ju
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
KIM Gun Hwan
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
EOM Taeyong
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)
HWANG Cheol Seong
(Dep. of Materials Sci. and Engineering and Inter-University Semiconductor Res. Center, Seoul National Univ., Seoul ...)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 92  号: 16  ページ: 162904  発行年: 2008年04月21日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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