文献
J-GLOBAL ID:200902298754784130
整理番号:06A0590490
還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfO2膜の初期絶縁破壊
Initial Breakdown of HfO2 by Formation Process of Gate Electrode in Reduction Atmosphere
著者 (11件):
水林亘
(半導体MIRAIプロジェクト)
,
小川有人
(半導体MIRAIプロジェクト)
,
生田目俊秀
(半導体MIRAIプロジェクト)
,
佐竹秀喜
(半導体MIRAIプロジェクト)
,
鳥海明
(半導体MIRAIプロジェクト)
,
鳥海明
(産業技術総合研 次世代半導体研究セ)
,
水林亘
(産業技術総合研 次世代半導体研究セ)
,
小川有人
(超先端電子技術開発機構)
,
生田目俊秀
(超先端電子技術開発機構)
,
佐竹秀喜
(超先端電子技術開発機構)
,
鳥海明
(東大 工)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
106
号:
108(SDM2006 42-64)
ページ:
107-111
発行年:
2006年06月14日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)