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J-GLOBAL ID：200902298880467051 整理番号：06A0790421

ラジカルソース分子線エピタキシャル法によって成長させたZn極性を持つZnMgO/ZnOヘテロ構造における2次元電子ガス

Two-dimensional electron gas in Zn polar ZnMgO/ZnO heterostructures grown by radical source molecular beam epitaxy

著者 (8件)：

TAMPO H.

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

,

SHIBATA H.

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

,

MATSUBARA K.

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

,

YAMADA A.

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

,

FONS P.

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

,

NIKI S.

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

,

YAMAGATA M.

(Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510 Japan)

,

KANIE H.

(Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510 Japan)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 89 号： 13 ページ： 132113-132113-3 発行年： 2006年09月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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