文献
J-GLOBAL ID:200902299044755847
整理番号:03A0186136
ZnOの注入アイソレーション
Implant isolation of ZnO.
著者 (9件):
KUCHEYEV S O
(Lawrence Livermore National Lab., California)
,
JAGADISH C
(Australian National Univ., ACT, AUS)
,
WILLIAMS J S
(Australian National Univ., ACT, AUS)
,
DEENAPANRAY P N K
(Australian National Univ., ACT, AUS)
,
YANO M
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
,
KOIKE K
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
,
SASA S
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
,
INOUE M
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
,
OGATA K
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
93
号:
5
ページ:
2972-2976
発行年:
2003年03月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)