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資料名：
巻： 44 号： 7B ページ： 5819-5823 発行年： 2005年07月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902299287907122
整理番号：05A0719767
一定のAr流でCH4/H2/ArとO2のサイクル注入によりGaNの電子サイクロトロン共鳴の反応性イオンエッチングで改良されたエッチングされた表面形態
Improved Etched Surface Morphology in Electron Cyclotron Resonance-Reactive Ion Etching of GaN by Cyclic Injection of CH4/H2/Ar and O2 with Constant Ar Flow
ARAKAWA Taro
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
AWA Yoshiki
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
IDE Tomoyoshi
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
HANEJI Nobuo
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
TADA Kunio
(Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
SUGIYAMA Masakazu
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SHIMIZU Hiromasa
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SHIMOGAKI Yukihiro
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NAKANO Yoshiaki
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 7B ページ： 5819-5823 発行年： 2005年07月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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