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資料名：
巻： 45 号： 4A ページ： 2726-2730 発行年： 2006年04月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902299302868961
整理番号：06A0340259
多重パルスエキシマレーザアニールによる多結晶シリコンの粒子拡大:水素の役割
Grain Enlargement of Polycrystalline Silicon by Multipulse Excimer Laser Annealing: Role of Hydrogen
KAWAMOTO Naoya
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
MASUDA Atsushi
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
,
MATSUO Naoto
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
SERI Yasuhiro
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
,
NISHIMORI Toshimasa
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
KITAMON Yoshitaka
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
,
MATSUMURA Hideki
(Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
,
HAMADA Hiroki
(SANYO Electric Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
MIYOSHI Tadaki
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 4A ページ： 2726-2730 発行年： 2006年04月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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