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J-GLOBAL ID:200902299857102522   整理番号:04A0439670

遷移金属イオンドーピングγ-Bi2O3半導体粒子を用いた光触媒水素生産

Photocatalytic hydrogen production using transition metal ions-doped γ-Bi2O3 semiconductor particles
著者 (1件):
GURUNATHAN K
(Centre for Materials for Electronics Technol., Pune, IND)

資料名:
International Journal of Hydrogen Energy  (International Journal of Hydrogen Energy)

巻: 29  号:ページ: 933-940  発行年: 2004年08月 
JST資料番号: B0192B  ISSN: 0360-3199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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