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著者 (6件)：
資料名：
巻： 22 号： 3 ページ： 1145-1149 発行年： 2004年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902299940372302
整理番号：04A0912640
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタのバッファ漏れに対する炭素ドーピングの効果
Effect of carbon doping on buffer leakage in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
POBLENZ C
(Univ. California, California)
,
WALTEREIT P
(Univ. California, California)
,
RAJAN S
(Univ. California, California)
,
HEIKMAN S
(Univ. California, California)
,
MISHRA U K
(Univ. California, California)
,
SPECK J S
(Univ. California, California)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 22 号： 3 ページ： 1145-1149 発行年： 2004年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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