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資料名：
巻： 26 号： 12 ページ： 1875-1880 発行年： 1979年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201002020819250867
整理番号：80A0107061
薄膜半導体NOxセンサー
Thin-film semiconductor NOx sensor.
CHANG S-C
(General Motors Research Lab., MI)
資料名：
IEEE Trans Electron Devices
(IRE Transactions on Electron Devices)
巻： 26 号： 12 ページ： 1875-1880 発行年： 1979年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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