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著者 (4件)：
資料名：
巻： 19 号： 5 ページ： L225-L227 発行年： 1980年
JST資料番号： G0520A ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201002033203910051
整理番号：80A0299283
選択ドープしたGaAs/n-AlxGa1-xAsヘテロ接合を持つ新しい電界効果トランジスタ
A new field-effect transistor with selectively doped GaAs/n-AlxGa1-xAs heterojunctions.
MIMURA T
(Fujitsu Lab., Ltd., Kawasaki)
,
HIYAMIZU S
(Fujitsu Lab., Ltd., Kawasaki)
,
FUJII T
(Fujitsu Lab., Ltd., Kawasaki)
,
NANBU K
(Fujitsu Lab., Ltd., Kawasaki)
資料名：
Jpn J Appl Phys
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 19 号： 5 ページ： L225-L227 発行年： 1980年
JST資料番号： G0520A ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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