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著者 (4件)：
資料名：
巻： 33 号： 5 ページ： 453-455 発行年： 1978年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201002084220542612
整理番号：78A0322207
レーザ焼なましした半導体の周期的表面構造の起源
On the origin of periodic surface structure of laser-annealed semiconductors.
MARACAS G N
,
HARRIS G L
,
LEE C A
,
McFARLANE R A
資料名：
Appl Phys Lett
(Applied Physics Letters)
巻： 33 号： 5 ページ： 453-455 発行年： 1978年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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