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資料名：
巻： 49 号： 6,Issue 1 ページ： 064001.1-064001.5 発行年： 2010年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201002205046507944
整理番号：10A0695608
ナノ規模金属-酸化物-半導体電界効果トランジスターにおける界面トラップの個数および個々の電子的性質のゆらぎの直接観察
Direct Observation of Fluctuations in the Number and Individual Electronic Properties of Interface Traps in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
TSUCHIYA Toshiaki
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
MORI Yuki
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
MORIMURA Yuta
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
MOGAMI Tohru
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
,
OHJI Yuzuru
(Semiconductor Leading Edge Technol., Inc., Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 6,Issue 1 ページ： 064001.1-064001.5 発行年： 2010年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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