文献
J-GLOBAL ID:201002211511551300
整理番号:10A0618735
ウェット化学エッチングにより得たパターン化したr面サファイア上の半極性GaN膜
Semipolar GaN films on patterned r-plane sapphire obtained by wet chemical etching
著者 (5件):
DE MIERRY P.
(CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA)
,
KRIOUCHE N.
(CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA)
,
NEMOZ M.
(CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA)
,
CHENOT S.
(CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA)
,
NATAF G.
(CNRS-CRHEA, rue Bernard Gregory, Sophia-Antipolis, F-06560 Valbonne, FRA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
96
号:
23
ページ:
231918
発行年:
2010年06月07日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)