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著者 (4件)：
資料名：
巻： 84 号： 7 ページ： 882-889 発行年： 2010年03月04日
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201002220892062598
整理番号：10A0213412
窒素希釈水素化非晶質炭素(n型a-C:H)薄膜の特性とn型a-C:H/p型結晶シリコンヘテロ接合ダイオードの実現
Properties of nitrogen diluted hydrogenated amorphous carbon (n-type a-C:H) films and their realization in n-type a-C:H/p-type crystalline silicon heterojunction diodes
KUMAR Sushil
(Plasma Processed Materials Group, National Physical Lab. (CSIR), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110 012, IND)
,
DWIVEDI Neeraj
(Plasma Processed Materials Group, National Physical Lab. (CSIR), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110 012, IND)
,
RAUTHAN C.m.s.
(Plasma Processed Materials Group, National Physical Lab. (CSIR), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110 012, IND)
,
PANWAR O.s.
(Plasma Processed Materials Group, National Physical Lab. (CSIR), Dr. K.S. Krishnan Road, New Delhi 110 012, IND)
資料名：
Vacuum
(Vacuum)
巻： 84 号： 7 ページ： 882-889 発行年： 2010年03月04日
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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