Sorry, this section is only available in Japanese.
著者 (11件)：
資料名：
巻： 2009 ページ： 150-153 発行年： 2009年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201002224574690682
整理番号：10A0343640
Si基板上のプレーナ・アイソレーションをもつノーマリオフ・ゲート注入トランジスタを用いるGaNモノリシックインバータIC
GaN Monolithic Inverter IC Using Normally-off Gate Injection Transistors with Planar Isolation on Si Substrate
UEMOTO Yasuhiro
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
MORITA Tatsuo
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
IKOSHI Ayanori
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
UMEDA Hidekazu
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
MATSUO Hisayoshi
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
SHIMIZU Jun
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
HIKITA Masahiro
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
YANAGIHARA Manabu
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
UEDA Tetsuzo
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
TANAKA Tsuyoshi
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
,
UEDA Daisuke
(Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2009 ページ： 150-153 発行年： 2009年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。