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資料名：
巻： 49 号： 2,Issue 1 ページ： 024302.1-024302.3 発行年： 2010年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201002231566935176
整理番号：10A0235711
極薄傾斜ベースを持つInP/GaInAsヘテロ接合バイポーラトランジスタのベース通過時間のモンテカルロ解析
Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Ultrathin Graded Bases
UESAWA Takafumi
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
YAMADA Masayuki
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
MIYAMOTO Yasuyuki
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
FURUYA Kazuhito
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49 号： 2,Issue 1 ページ： 024302.1-024302.3 発行年： 2010年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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