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著者 (4件)：
資料名：
巻： 157 号： 2 ページ： D85-D89 発行年： 2010年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：201002233486533495
整理番号：10A0224658
大気圧以下の圧力での狭ギャップVHFプラズマを用いたSiに対するペルフルオロカーボン(PFC)フリードライエッチング法
PFC-Free Dry Etching Method for Si Using Narrow-Gap VHF Plasma at Subatmospheric Pressure
OHMI Hiromasa
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KISHIMOTO Kazuya
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KAKIUCHI Hiroaki
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YASUTAKE Kiyoshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157 号： 2 ページ： D85-D89 発行年： 2010年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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